我国各类激光器的"第一台"
第一台固体红宝石激光器 1961年9月 王之江等
第一台He-Ne激光器 1963年7月 邓锡铭等
第一台掺钕玻璃激光器 1963年6月 干福熹等
第一台GaAs同质结半导体激光器 1963年12月 王守武等
第一台脉冲Ar+激光器 1964年10月 万重怡等
第一台CO2分子激光器 1965年9月 王润文等
第一台CH3I化学激光器 1966年3月 邓锡铭等
第一台YAG激光器 1966年7月 屈乾华等
激光技术的发展
中国激光科技从一开始就得到了国家的高度重视。1964年，中国科学院上海光学精密机械研究所（简称"上海光机所"）成立。1964年国家启动"6403"高能钕玻璃激光系统，建成了具有工程规模的大口径（120毫米）振荡-放大型激光系统，最大输出能量达32万焦耳；改善光束质量后达3万焦耳。成功地进行了打靶实验，室内10米处击穿80毫米铝靶，室外2公里距离击穿0.2毫米铝耙，并系统地研究了强激光辐射的生物效应和材料破坏机理。最后从技术上判定热效应是根本性技术障碍，于1976年下马。这一项目使我国激光技术科研水平上了一个台阶。
中国核科学奠基人--王淦昌院士，和中国应用光学奠基人--王大珩院士
高功率激光和核聚变研究
1964年王淦昌独立提出激光聚变倡议，1965年立项开始研究。经几年努力，建成了输出功率100亿瓦的纳秒级激光装置，并于1973年5月首次在低温固氘靶、常温氘化锂靶和氘化聚乙烯上打出中子。1974年研制成功我国第一台多程片状放大器，把激光输出功率提高了10倍，中子产额增加了一个量级。在国际上向心压缩原理解密后，积极跟踪并于1976年研制成六束激光系统，对充气玻壳靶照射，获得了近百倍的体压缩。这一系列的重大突破，使我国的激光聚变研究进入世界先进行列，也为以后长期的持续发展奠定了基础。我国的激光科技事业，虽然也遭遇了"文革"十年浩劫，但借助于重点项目的支撑，仍艰难地生存了下来并取得了可贵的进展。
改革开放后，我国激光技术获得了空前发展的机遇。1980年5月，分别在上海、北京举行了第一次国际激光会议，与会代表218人（国外66人），邓小平同志亲切接见了与会中外代表。1983年在广州和1986年在厦门又举行了第二次、第三次国际会议，改变了我国的激光技术多年来封闭运转的局面，开始走向世界。先后成立了一批国家重点实验室、开放实验室、国家工程研究中心和产学研组织。在多项国家级战略性科技计划中，激光技术受到重视。"863"计划七大领域中有激光技术和光电子技术（包括用于信息领域的激光技术），1995年又增列了"惯性约束聚变"主题。国防预研光电子技术作为跨部门项目正式立项，其中也包括激光技术。国家"六五"和"七五"攻关计划，激光技术被列为重大项目。
