人物资料：
王立军
研究员，国务院政府特殊津贴获得者，博士生导师，课题组长。
1988年6月—1989年6月在瑞士邮政电报电话公司工作；1993年2月—1995年6月在美国西北大学量子器件中心做访问教授； 1994年在国际上首次研制出67瓦808nm无铝量子阱激光器迭阵。
在国内率先实现无铝量子阱大功率激光器、激光列阵、激光光纤耦合模块的突破，并开拓不同波长、不同功率、不同应用目标的无铝量子阱激光器研制、开发。同时从事微腔激光、有机聚合物激光和光纤激光的研究。
在国际上首次采用芯径转换技术研制出连续波输出20W高功率、高亮度光纤耦合模块，为国内报道最高亮度。研制出连续波输出123W激光光纤耦合模块，为国内报道最大功率，处于国内领先水平。光纤模块的光谱线宽、功率密度等已达到目前国际先进水平。
承担并出色完成国家部委，中科院重点、重大项目多项，获国家技术发明二等奖一项（2011）、国家科技进步奖二等奖一项（2007）、吉林省技术发明一等奖一项（2010）、吉林省科技进步奖一等奖两项（2004、2006），均为第一完成人，鉴定成果10余项。发表论文200余篇，获得授权发明专利28项，合著专著两部。
主要科技成果：
一、808nm半导体量子阱大功率激光器列阵器件研究
国际上首次提出肖特基势垒接触无铝量子阱大功率半导体激光器列阵新结构，在国内率先开展并首次成功地研制出808nm无铝InGaAsP/InGaP/GaAs双异质结分别限制单量子阱高功率半导体激光器列阵。本研究采用真空镀膜及合金技术形成激光器双面电极，光刻和化学腐蚀相结合制备激光器波导条形结构，采用Au/InGaP肖特基势垒进行电流限制，采用电子束蒸发形成激光器前后腔面的高低反射膜，采用微通道热沉进行器件的组装。
二、高功率半导体激光器(LD)阵列研制
本成果首次成功地将肖特基势垒接触电流限制技术应用于无铝激光器列阵器件的结构研制中，首次研制出准连续输出功率80瓦808nm无铝InGaAsP/InGaP/GaAs双异质结分别限制单量子阱高功率半导体激光器列阵。本研究采用真空镀膜工艺和合金技术形成激光器两面的电极，光刻和化学腐蚀相结合形成激光器波导条形结构，采用Au/InGaP肖特基势垒进行电流限制，采用电子束蒸发形成激光器前后腔面的高低反射膜，采用微通道热沉进行器件组装。
