准分子激光器的功率和稳定性进展
由于市场需要更大的面板尺寸，这要求LTPS退火采用更长、更均匀的线光束。这是推动高功率308 nm准分子激光源持续发展的主要因素。目前，层局部退火和其他高精度应用中的准分子激光器和紫外光束管理方案，可提供从数十瓦至千瓦级的平均功率范围，如图2所示。
在低温多晶硅退火工艺中，需要对射向硅背板的每个激光脉冲进行严格的控制，而脉冲能量稳定性则是极其重要的激光参数。过去十年内，这一领域的进步使308 nm准分子激光器的可用功率和稳定性得到大幅提升，可以大批量加工大尺寸的面板，特别是基于LTPS背板的AMOLED，如图3所示。
在过去十年，激光能量稳定性在脉冲标准偏差（rms）和峰-峰能量包络方面已有显著改善。由于稳定性的提升，准分子退火的工艺窗口可以更好地被匹配。因此准分子激光退火99%以上的产率是用在AMLCD和AMOLED TFT背板的大批量LTPS制造中。再结合更高的激光功率和更大的面板，使得LTPS平板制造业的产值增长了四倍。
直到最近，人们已经采用540 W准分子激光器以465毫米长度的线光束加工第四代面板，生产出大量基于高性能LTPS的AMLCD和AMOLED显示屏。2011年初推出的新型VYPER / LB750系统现已广泛应用于生产现场，准分子激光退火已从第四代面板加工成功过渡到第八代面板。
