七、硅基纳米激光器和光放大器
清华大学电子系“****”专家宁存政教授长期研究半导体发光物理、纳米光子学、器件极端微型化制作及表征，曾在世界上首次制成尺寸小于半波长的电注入纳米激光器，并首次实现了电注入金属腔纳米激光器的室温连续模运转，是纳米激光技术领域的开拓型领军人物。宁存政教授课题组一直致力于微纳光电子材料器件的物理及应用研究，不断突破激光器和光放大器尺寸小型化极限，为光电集成及其在未来计算机芯片上的应用进行前沿探索。十多年来，课题组专注开发纳米激光器和具有高光学增益的光放大器新材料，最近同时在这两方面取得重大突破。
以上两项研究的另一重大意义在于硅基光电子集成和未来计算机芯片。众所周知，硅材料是目前微电子技术包括计算机芯片的基础，也是未来光电集成的极可能的基底材料。但由于硅是一个效率极低的发光材料，所以未来光电集成芯片中需要以某种方式将其它发光材料与硅衬底集成。而这种集成也是近几十年来光电集成中悬而未决的难题。通常做法是将发光效率高的III-V族化合物半导体与硅粘合在一起。与此相比，二维材料或是纳米线结构不会由于应力或晶格失配引起任何损伤或性能降低，为未来硅基光电集成提供了一个新的思路。
