宜普电源转换公司（EPC）宣布再多一个车用氮化镓（eGaN）器件（80 V的EPC2214）成功通过AEC Q101测试认证，可在车用及其它严峻环境支持多种全新应用。
基于氮化镓（eGaN）技术的产品已进行量产超过9年，累计了数十亿小时的实际汽车应用经验，包括全自动驾驶汽车的激光雷达及雷达系统、应用于数据中心计算机的48 V–12 V DC／DC转换器、具有超高保真度的信息娱乐系统及高强度的货车头灯等应用。这些全新器件已经通过严格的AEC Q101测试认证，随后会推出更多面向严峻的车用环境的分立晶体管及集成电路。
EPC2214为80 V、20 m?氮化镓场效应晶体管元件，超小占板面积（1.8平方毫米），脉冲电流为47 A，非常适合在激光雷达（lidar）系统发射激光，因为FET触发激光信号、产生大电流、极短脉宽，从而实现更高的分辨率，而更大脉冲电流使得激光雷达系统可以看到更远的景物。这两个特性，加上小尺寸及低成本，使得eGaN FET除了支持严峻的车用激光雷达系统外，也是雷达及超声波传感器的理想元件。
要通过AEC Q101认证测试，EPC的氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）必需通过在严峻环境及不同偏压的条件下的各种测试，包括偏压湿度测试（H3TRB）、高温反向偏压（HTRB）、高温栅极偏压（HTGB）、温度循环（TC）及其它多种不同的测试。要留意的是，EPC器件的芯片级封装也通过采用传统封装的器件的所有相同测试标准，证明芯片级封装具备卓越性能而器件同时保持坚固耐用及其高可靠性。这些eGaN器件在符合汽车质量管理系统标准IATF 16949的设备中生产。
EPC公司的首席执行官及共同创办人Alex Lidow称：“这个通过认证的车规级氮化镓器件，是我们恒常化推出车用晶体管及集成电路产品路线图的最新器件，旨在全力支持打造自动驾驶汽车的未来、节省汽油的使用量及提高驾驶的安全性。与目前车用、日益老化的硅基功率MOSFET相比，基于eGaN技术的产品的开关更快速、尺寸更小、效率更高、成本更低及更可靠。”
