EUV光刻是光刻机发展的第五代技术，也是目前最先进的技术。前四代光刻机使用都属于深紫外光（准分子激光器产生UV激光束），但在摩尔定律的推动下，半导体产业对于芯片的需求已经发展到5nm，甚至是3nm，浸入式光刻面临更为严峻的镜头孔径和材料挑战。可将最小工艺节点推进至5nm、3nm的第五代 EUV光刻机成了半导体行业不可或缺的重磅武器。
EUV光刻最大的挑战之一是如何产生波长极短的13.5nm的光。为实现这一点，荷兰ASML（光刻系统制造商）、德国Zeiss（镜头制造商）和德国Trumpf（光源制造商）紧密合作，通过多年努力最终研制出每秒可加工100多个晶圆的独一无二的CO2激光系统。这套系统的工作过程为：锡发生器每秒发射5万滴锡珠，通过真空室并被激光脉冲击中。当激光脉冲击中锡珠时，锡珠被电离并产生高强度的等离子体，同时发出波长为13.5nm的EUV光。随后收集器收集EUV光，并通过反射镜将其输送到光刻机上，对晶圆进行雕刻。
视频：激光脉冲如何击中锡珠产生EUV光？
视频来源：通快
为了产生能使锡珠电离的激光脉冲，德国通快集团基于其二氧化碳激光技术开发了一套独一无二的激光放大器。在五个放大阶段中，该设备可提升一个较弱的激光脉冲超过10000次，输出的激光脉冲超过3万瓦的平均脉冲功率，脉冲峰值功率可以高达为几兆瓦。
EUV光刻市场的机遇为通快集团业绩提供了有力支撑。通快2019/20财年年报显示，有关EUV应用的销售额同比增长了近20％，达4.6亿欧元。随着市场对EUV光刻需求的进一步提升，2020/21财年，通快EUV市场销售还将进一步增长。
值得一提的是，2020年8月，ASML宣布在中国台湾台南为台积电设立了一家培训机构，专门用于指导台积电芯片工程师如何使用极紫外（EUV）光刻机。这是ASML的首个海外培训中心。随后不久，通快也发布消息称将与台湾工业技术研究院展开合作，在台南建立一个激光应用中心，以更大地方便为台湾制造商服务，大大提升半导体厂商制造效率，并将由此强化台南激光社群发展，为台湾激光设备产业发展带来新机遇。
