高额研发占比 推动核心技术实现产业化
前文提到，长光华芯近年来利润较低与业务利润不足以覆盖以研发费用为主的期间费用有关。近年来长光华芯的研发投入占营业收入比重始终保持在较高水平：2018－2020年，长光华芯研发投入费用分别为3718.98万元、5270.65万元、5724.62万元，分别占当年营业收入的40.23％、38.05％、23.16％，远高于同行业可比企业平均水平。
在高额研发投入的支撑下，长光华芯基于核心技术研发生产的半导体激光芯片系列产品已在工业激光器、国家战略高技术、科学研究、医学美容、激光雷达及3D传感等领域得到了产业化应用。
在工业激光器领域，公司生产的高功率半导体激光芯片、器件及模块等产品已作为泵浦源广泛应用于工业激光器的量产，下游客户包括锐科激光、创鑫激光、大族激光、飞博激光等主流的激光器厂商。公司半导体激光芯片系列产品具有高功率、高效率、高可靠性特点，逐步实现了高功率半导体激光芯片的国产化及进口替代，是工业激光器的核心器件，助力高功率激光技术的创新发展。
在国家战略高技术及科研领域，公司的高功率巴条系列产品可实现连续（CW）50－250W 激光输出，准连续脉冲（QCW）500－1000W 激光输出，电光转换效率 63％以上，广泛应用于固态激光器、碱金属激光器的研制等，已服务于多家国家级骨干单位。
公司研发的面发射高效率VCSEL系列产品已通过相关客户的工艺认证，目前公司已获得相关客户VCSEL芯片量产订单，产品应用领域扩展至激光雷达及3D传感领域。
募资13.48亿元 投入多项重要研发项目
本次长光华芯拟募集资金13.48亿元，将投建于“高功率激光芯片、器件、模块产能扩充项目”、“垂直腔面发射半导体激光器（VCSEL）及光通信激光芯片产业化项目”及“研发中心建设项目”以及补充流动资金。具体情况如下：
招股书表示，高功率激光芯片、器件、模块产能扩充项目主要是为了扩大高功率半导体激光芯片系列产品的生产，产能扩充能够提高公司经营规模，是对该公司现有业务的合理延伸和拓展。
垂直腔面发射半导体激光器（VCSEL）及光通信激光芯片产业化项目主要通过对生产基地的建设及配套设备的购置，研发并生产垂直腔面发射半导体激光芯片及光通信激光芯片系列产品，扩大公司在消费电子、激光雷达及光通信领域的激光芯片输出。
研发中心建设项目主要为了进一步加强技术研发能力、完善技术研发体系、提高高功率半导体激光芯片相关技术的储备量，从而持续强化公司的创新研发能力和核心竞争力。
文中图片来自：长光华芯、科创板
