长光华芯表示，公司研发费用占营业收入的比例高于同行业可比公司，一方面是公司围绕半导体激光芯片、器件及模块等产品持续加大研发投入力度；另一方面是截至目前公司仍处于快速发展期，业绩规模较小，仍处于以研发为导向的快速成长阶段，研发投入相对较大。未来，公司将持续加大对研发费用的投入，为公司的技术创新、人才培养等创新机制奠定物质基础。
在高额研发投入的支撑下，长光华芯基于核心技术研发生产的半导体激光芯片系列产品已在工业激光器、国家战略高技术、科学研究、医学美容、激光雷达及3D传感等领域得到了产业化应用。公司成立以来的产品研发和产业化的主要进展情况如下：
值得一提的是，2021年，在诸多应用技术的支撑下，长光华芯成功实现30W高功率半导体激光芯片的量产，波长范围覆盖 808－1064nm，电光转换效率达到60％－65％，技术水平与国际先进水平同步，提升了半导体激光芯片的产量及良率，实现了半导体激光芯片的产业化应用。
募资13.48亿元 投入多项重要研发项目
本次长光华芯拟募集资金13.48亿元，将投建于“高功率激光芯片、器件、模块产能扩充项目”、“垂直腔面发射半导体激光器（VCSEL）及光通信激光芯片产业化项目”及“研发中心建设项目”以及补充流动资金。具体情况如下：
招股书表示，高功率激光芯片、器件、模块产能扩充项目主要是为了扩大高功率半导体激光芯片系列产品的生产，产能扩充能够提高公司经营规模，是对该公司现有业务的合理延伸和拓展。
垂直腔面发射半导体激光器（VCSEL）及光通信激光芯片产业化项目主要通过对生产基地的建设及配套设备的购置，研发并生产垂直腔面发射半导体激光芯片及光通信激光芯片系列产品，扩大公司在消费电子、激光雷达及光通信领域的激光芯片输出。
研发中心建设项目主要为了进一步加强技术研发能力、完善技术研发体系、提高高功率半导体激光芯片相关技术的储备量，从而持续强化公司的创新研发能力和核心竞争力。
