今天看到一份其他公司的晶圆芯片的制作工艺流程，其中有一道工艺是采用亚硫酸金钠溶液经过低温成膜形成黄金层。
我们都知道晶圆在进行金属层沉积的时候，常用溅射或者蒸发的工艺，因此镀膜层厚度一般都不高，特别是镀金子的时候，100g金真的到晶圆上的不会超过20g，浪费啊。流程原文对这两步工序的介绍如下：
“金属膜沉积：
金属蒸镀是在真空环境下，在光刻后的晶圆表面上蒸镀金属层。本项目采用真空蒸发法，是采用电子束加热将金属原料蒸发沉积到外延片上的一种成膜方法。蒸发原料的分子或原子平均自由程较高，在真空中几乎不予其他分子碰撞和直接到达外延片。到达外延片的原料分子不具有表面移动的能量，立即凝结在晶圆片表面。金属蒸镀使用的主要材料为钛、铂、金、锗、镍。
低温成膜：低温成膜工艺是在表面沉积一层金属膜，其中，原料金、硫代硫酸钠盐、氢氧化铵，该工艺工程会产生成膜废液，委外处理。”
用电镀镀金确实是个镀厚膜的好方法，镀它100个um，芯片打线效果相当好的。但是电镀前必须有一层导电层。今天详细了解一下晶圆电镀金的原理和工艺。
1、电镀到底是如何玩的呢？
电镀是一种电化学过程，也是一种氧化还原过程．电镀的基本过程是将零件浸在金属盐的溶液中作为阴极，金属板作为阳极，接直流电源后，在零件上沉积出所需的镀层。镀金阳极一般采用铂金钛网材料。当电源加在铂金钛网（阳极）和硅片（阴极）之间时，溶液会产生电流，并形成电场。阳极发生氧化反应释放出电子，同时阴极得到电子发生还原反应。阴极附近的络合态金离子与电子结合，以金原子的形式沉积在硅片表面。镀液中的络合态金离子在外加电场的作用，向阴极定向移动并补充阴极附近的浓度消耗。
对于LD晶圆用到的镀液就是亚硫酸金钠。当然也有其他电镀用的药水，比如氰化物电镀液，就是有剧毒。但是比亚硫酸盐做出的膜要好，溶液也稳定很多。
亚硫酸金钠也是用化学方法采用纯金溶于溶液中，金以氯酸金或雷酸金的形式加入到镀液中。在溶液中形成亚硫酸金络合离子和柠檬酸金络合离子。市场上有专门卖的。关于这个溶液可以看下面的注解：
晶圆电镀金常用工艺过程：
1、
2、
3、
4、
5、
6、
（时间限制，明天再写。。。。）
