近日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所异质集成XOI团队张加祥研究员、欧欣研究员和中国科学院物理研究所合作，实现基于III－V族量子点确定性量子光源和CMOS兼容碳化硅的混合集成光量子学芯片。通过设计双层波导耦合器和1×2多模干涉仪 （Multimode interferometer， MMI），研究团队实现了混合量子光子芯片中确定性单光子的高效路由，以及对确定性单光子二阶关联函数的片上实验测量。
相关研究成果于2022年6月19日以“Hybrid integration of deterministic quantum dots－based single－photon sources with CMOS－compatible silicon carbide photonics”为题在线发表在国际著名学术期刊Laser ＆ Photonics Reviews上。
集成光量子芯片提供了一个片上光量子态的产生、传输、调控及探测的综合平台，由于其具有集成度高、稳定性好、便于操纵等优势，在量子通信、量子传感和量子计算等光量子信息应用领域引起广泛关注。最近研究人员在硅、高折射率玻璃、氮化硅和氮化铝等各种CMOS工艺兼容的光子学材料平台上成功实现自组装量子点单光子源的混合集成，掀起该领域的研究热潮。然而，目前所有已开发的光子学平台均无法同时具备大带隙、高折射率、高二阶和三阶非线性光学系数。第三代半导体材料碳化硅（SiC），尤其是具有六方晶相结构的4H－SiC，由于其CMOS技术兼容性和大的光学非线性，是实现大规模光学量子回路的有力竞争者。同时，4H－SiC在较宽的波长范围内具有2．4～3．2 eV的大带隙和n～2．6的大折射率，其优异的综合特性为集成光量子芯片的应用带来巨大优势，包括制造大规模、低成本和高可靠性集成光子回路，以及利用线性电光效应实现超快速度调制功能的可重构光子回路。
然而，利用离子束注入剥离制备的4H－SiCOI在芯片上创建高效的单光子源是具有挑战性的。这是因为，虽然4H－SiC拥有丰富的自旋缺陷二能级系统，但由于离子注入带来的高离子损伤缺陷，制备空间可分辨的单个缺陷极其困难。因此，如何突破这一限制，在CMOS兼容的4H－SiC光波导上集成量子光源从而构建综合性能优异的集成光量子芯片成为量子光学材料和器件的研究热点之一。