近日，总部位于英国苏格兰的半导体技术公司III－V Epi宣布，公司已经开发生产了针对温度不敏感操作的实验电信激光器结构。
据悉，这一外延开发项目是为萨里大学专门开展的，并由英国工程和物理科学研究委员会（EPSRC）旗下的“影响力加速资金”（Impact Acceleration Account，简称IAA）提供资助。
负责该项目的萨里大学首席研究员Stephen Sweeney教授表示：“III－V Epi的团队正在帮助我们开发坚固实用的磷化铟（InP）基外延晶片，用于电信激光器，从而消除了对昂贵、耗能高的冷却系统的需求。III－V Epi在材料系统的选择和可制造性方面提供了设计和工程专业知识，这为我们的设计模拟提供了参考。III－V Epi继续通过金属－有机化学气相沉积（MOCVD）技术为萨里大学生产晶圆，并进行加工、测试和进一步优化。III－V Epi拥有世界级的服务和专业知识，由此产生的激光器将是行业的一个突破。”
磷化铟（InP）作为半导体材料，具有其优良特性，具备饱和电子漂移速度高、发光波长适宜光纤低损通信、抗辐射能力强、导热性好、光电转换效率高、禁带宽度较高等特性，这一材料作为衬底可被广泛应用于制造光模块器件、传感器件、高端射频器件、激光器等。而金属－有机化学气相沉积（MOCVD）是在气相外延生长（VPE）的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术，以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有机化合物和V、Ⅵ族元素的氢化物等作为晶体生长源材料。
萨里大学是受英国工程和物理科学研究委员会（EPSRC）旗下IAA资助的36所大学之一，该资金项目为英国国家科研与创新署（UKRI）提供了快速获取资金的渠道，用于知识交流、创新和影响——例如概念验证、商业化和市场验证项目。
III－V Epi的主管Calum McGregor表示：“III－V Epi已经帮助许多客户将新的复合半导体产品快速推向市场，从而帮助他们缩短了生产周期。这是通过使用两个关键战略实现的：首先，通过专注于中、低量供应，我们能够将自己从行业的量产部分企业区分开来，这些部分由消费品巨头主导。其次，我们为客户消除了潜在的新产品引入瓶颈，从晶圆设计、产品开发和流程优化，到完整的测试、计量和表征服务，我们在提供了全流程的专业知识。”
财报显示，去年III－V Epi的大部分收入来自于持续生产需求的工业应用设备。其中，III－V Epi高达90％的营业额来自高增长、电信、数据通信、增材制造、激光雷达和多种光学传感行业的工业客户。
关于III－V Epi
III－V Epi公司为定制复合半导体晶片的设计、制造、测试和表征提供快速转换分子束外延（MBE）和金属－有机化学气相沉积（MOCVD）服务。通过专注于中低批量制造，该公司已经能够提供MBE和MOCVD、III－V、外延结构和超长服务，比行业标准的交货时间更短。目前，它主要向通信、电信、量子技术、国防、安全、汽车、农业和增材制造市场供应设备，并积累了来自大学、初创企业和小规模企业等一大批客户。
