近日有投资者在互动平台就大族激光是否有切割碳化硅的技术与设备，以及已量产的第三代半导体设备进行了提问。
大族激光表示公司应用于第三代半导体的SiC晶锭激光切片机、SiC超薄晶圆激光切片机正在客户处做量产验证。
有数据显示，大族激光今年上半年实现营业收入69．37亿元，营业利润6．82亿元；归属于母公司的净利润6．31亿元，扣除非经常性损益后净利润6．07亿元。其中半导体及泛半导体行业晶圆加工设备业务实现营业收入7．17亿元。
今年5月份，大族激光的全资子公司大族半导体发布了激光切片（QCB技术）新技术，并同时发布了两款全新设备：SiC晶锭激光切片机（HSET－S－LS6200）、SiC超薄晶圆激光切片机（HSET－S－LS6210）。其产品性能非常优越，以切割2cm厚度的晶锭，分别产出最终厚度350um，175um和100um的晶圆为例，QCB技术可在原来传统线切割的基础上提升分别为40％，120％和270％的产能。
据悉，我国计划把大力支持发展第三代半导体产业，写入“十四五”规划，计划在2021－2025年期间，在教育、科研、开发、融资、应用等等各个方面，大力支持发展第三代半导体产业，以期实现产业独立自主。
第三代半导体材料是以碳化硅SiC、氮化镓GaN为主的宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率、可承受大功率等特点。
以第三代半导体的典型代表碳化硅（SiC）为例，碳化硅具有高临界磁场、高电子饱和速度与极高热导率等特点，使得其器件适用于高频高温的应用场景，相较于硅器件，碳化硅器件可以显著降低开关损耗。 因此，碳化硅可以制造高耐压、大功率的电力电子器件，用于智能电网、新能源汽车等行业。
