10月27日消息，创合鑫材基金完成对安徽格恩半导体有限公司的独家投资。格恩半导体主营高端化合物半导体外延材料、芯片及器件的研发、生产和销售，目前已具备大功率半导体激光器、紫外LED、高功率LED批量生产能力，多款产品实现国产化替代，是国内唯一量产氮化镓（GaN）基半导体激光器芯片的企业。
GaN基半导体蓝绿光激光芯片市场长期被日本及德国企业垄断，外企占据了激光照明、激光显示、汽车大灯和激光工业焊接的大部分市场，相关技术、工艺处于保密状态，下游国产厂商发展受制于相关芯片及器件的价格及供应量，急需国产供应商提供替代产品。目前，格恩半导体是国内兼具技术和量产能力的厂商，拥有蓝绿光半导体激光器及高功率LED生产线，也是全球少数在该领域拥有外延生长、芯片研制以及器件封装产能的企业。
格恩半导体由国内外化合物半导体领域领军人才联合创立。核心团队成员都具有十年以上丰富的化合物半导体研发和产业化经验，主要技术骨干包括留学归国人员及来自中国科学院各院所、清华大学、北京大学、中国科学技术大学等重点院校和国内外半导体产业头部企业的专家。
团队凭借在化合物半导体，尤其是GaN材料领域多年的研发和生产经验，攻克了一系列技术难点，包括设计非对称垒结构，通过参数控制、机台预处理、特殊掺杂改善铟析出、控制缺陷密度、芯片倒装结构设计、改善腔面制作技术、芯片级共晶焊接等，实现了蓝绿光激光芯片的量产。
国投创合表示，第三代半导体材料是我国重点发展的新材料领域，也是国投创合重点布局的领域之一。除热导率外，第三代半导体材料GaN的其他关键参数在众多半导体材料中最优。因此，GaN应用广泛，主要包括光电芯片（LED芯片、激光芯片）、功率芯片和射频芯片等。目前，国内普通LED芯片已实现国产化替代，但大功率LED芯片、激光芯片、功率芯片和射频芯片仍亟待加强自主研发。
从产业链看，GaN产业链分为衬底、外延、芯片和器件等环节。因下游应用类别多，需针对不同应用制作不同的外延层、设计并制造不同的芯片结构，外延层金属材料的添加、析出控制及芯片垂直结构制造具有较高技术门槛，外延和芯片密不可分。故主流产业分工方式是衬底企业专攻衬底生长，外延与芯片设计制造及封装在同一企业内完成。
国投创合重点关注掌握可量产衬底生长技术或同时掌握外延及芯片设计制造技术的IDM企业。格恩半导体不仅瞄准亟待国产化替代的激光芯片和大功率LED芯片，并布局了功率芯片和射频芯片，还同时掌握外延及芯片设计等环节的关键技术，具有较深的“护城河”。
未来，国投创合将发挥产业链及平台资源优势，协助格恩半导体进一步扩产，助力其成为国内GaN领域龙头企业。
