1月31日，数据通信VCSEL和光电二极管解决方案的开发商Trumpf Photontonic Components宣布，公司将推动1300 nm以上的SWIR VCSELs产品实现工业化生产，这些产品支持大批量制造应用，如智能手机中的OLED屏下应用。
近期，这家通快子公司在工业级制造水平上展示了超过1300纳米的长波红外激光组件的效率。这使通快在实现1300纳米－2000纳米范围内InP基VCSELs的大规模生产方面又迈进了关键一步。
除了760纳米至1300纳米的GaAs VCSELs产品外，通快还在开发和制造1300纳米以上的磷化铟SWIR VCSELs。（图片来源：TRUMPF）
Trumpf Photontonic Components首席执行官Berthold Schmidt表示：“在通快，我们正在努力使这一革命性的生产工艺成熟起来，并实施标准化。这将进一步将这一技术发展成为具有成本吸引力的解决方案。我们的目标是在2025年将首批产品推向大批量制造市场。”
通过开发新的工业生产平台，通快正在扩大其目前760纳米至1300纳米范围的砷化镓（GaAs－） VCSELs产品组合，这些产品主要用于近红外应用。
新平台在较长的波长光谱中比GaAs更灵活，但它仍然保持了紧凑、稳定和低成本光源相同的优势。“成功实现高容量长波长VCSELs的基础已经奠定。但我们也知道，这仍有一段路要走，在加大大规模生产之前，必须对主要生产设备进行投资。”
VCSELs征服新的应用领域
长波长VCSELs的工业化可以彻底改变广泛的应用领域，因为SWIR VCSELs与较短波长VCSELs相比，可以用于输出功率更高的应用，同时对人眼安全。
长波长的解决方案不容易受到干扰光（如在更宽的波长范围内的阳光）的影响。智能手机和消费电子设备大众市场的一个流行例子是OLED应用。基于InP的VCSELs可以很轻松地放置在这些OLED显示器下面，而不会影响其他功能，并且具有更高的眼睛安全标准。
OLED显示器是长波波长传感器解决方案的一个巨大应用领域。“未来，我们预计不仅在消费者传感领域，还将在汽车激光雷达、数据通信应用、光谱应用等医疗应用领域，以及光子集成电路（PICs）和量子光子集成电路（QPICs）领域开展大批量项目。相关需求使SWIR VCSEL技术在大规模生产方面取得突破。”
测试结果可轻松再现
通快的结果显示，1390 nm的VCSEL激光器可在高达140℃的温度下运行。用于制造的技术可以实现大规模生产，发射波长可以在1300 nm到2000 nm之间调谐，因此具有广泛的应用范围。结果表明，该实验结果具有良好的再现性和温度性能。
1390 nm波长多模VCSELs在光电流测量中展现出来的优异温度性能（图片来源：TRUMPF）
Schmidt表示：“我为我的团队感到骄傲，因为正是他们的成就，我们才能在这些设备的性能和稳健性方面呈现出卓越的结果。”Schmidt补充说：“我们有信心能够以高产量生产高效、长波长的VCSELs，以支持具有成本效益的解决方案。”
