近日，长光华芯发布56G PAM4 EML光通信芯片，进入光芯片高端市场，开启广阔增长空间。
数据中心是算力的载体，AI服务器对于底层数据的传输速率和时延要求非常高，对应的架顶交换机需匹配底层较大的数据传输带宽，且极低的时延冗余，这需要高速率的光模块进行匹配。长光华芯发布的单波100Gbps （56Gbaud四电平脉冲幅度调制（PAM4））电吸收调制器激光二极管（EML）芯片，支持四个波长的粗波分复用（CWDM），达到了使用4颗芯片实现400Gbps传输速率，或8颗芯片实现800Gbps传输速率的应用目标。该芯片采用脊波导结构，支持4个CWDM波长－1271、1291、1311和1331nm，允许不同波长的光信号在单个光纤中复用，从而减少所需要的光纤数量。电吸收调制区调制速率达56GBd，可使用56GBd PAM4信号支持112Gb／s，具有阈值电流低、工作温度范围宽的优点。该芯片符合RoHS标准和Telcordia GR－468标准，为当前400G／800G 超算数据中心互连光模块的核心器件。
从2010年，长光华芯就已经布局了磷化铟激光芯片产线，初期具备2．5G FP的批量出货能力。在2020年，公司开展10G APD 和L波段高功率EML的产品研发，全面建成了高速光通信芯片的研发生产产线，两款产品在2022年初通过大厂（客户）认证，并已实现产品的批量供货。此次56G PAM4 EML芯片的发布，意味着长光华芯已全面实现在光通信领域的横向扩展。
长光华芯采用IDM模式，突破外延生长、芯片制造、封测各环节关键技术及工艺，拥有半导体激光行业中最大的6吋生产线。构建了砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）和氮化镓（GaN）三大材料体系，具备边发射和面发射两大芯片结构技术和工艺生产平台。自2018年起布局高速光通信芯片领域，先后引进行业资深专家，组建专业研发团队，建成完整的光通信工艺平台和量产产线，包含芯片设计、外延生长、台面刻蚀、氧化工艺、电镀金、性能测试等，攻克了材料外延生长的精确控制和稳定性难题以及激光电流的氧化限制控制难题，致力于高速率光通信芯片的设计、研发、生产及销售。
未来，长光华芯将充分利用IDM企业优势和自身雄厚的技术积累，精准把握市场需求，持续推出更多更具市场竞争力的光通信产品，实现光芯片国产化从1到N的突破。中国激光芯，光耀美好生活。
