当地时间12月11日，美国纽约州宣布与IBM、美光、应用材料和东京电子等公司合作，共同投资100亿美元扩建纽约州的奥尔巴尼纳米技术综合体（Albany NanoTech Complex），最终将其打造成一个高数值孔径极紫外（NA - EUV）光刻中心，以支持世界上最复杂、最强大的半导体的研发。
这座占地50000平方英尺的新工厂，将于2024年开始建设。100亿美元的投资，将有望帮助建成北美首个也是唯一一个公有的高数值孔径极紫外（NA - EUV）光刻中心。
据介绍，新工厂未来预计将进一步扩大，这将鼓励未来的合作伙伴增长，并支持新的举措，如美国国家半导体技术中心、国家先进封装制造计划和国防部微电子共享计划。
高数值孔径极紫外（NA - EUV）光刻技术是下一代（2nm及以下）尖端制程芯片制造的关键。此次美国纽约州携手美国及日本半导体大厂建立High-NA EUV半导体研发中心，主要是希望帮助进一步提升美国本土厂商提升在尖端半导体制程领域的设计和制造能力，他们希望通过《芯片法案》获得资金支持。州政府官员们也为这些制造设施提供了激励措施。
声明显示，负责协调该设施建设的非营利性机构NY Creates，预计将利用10亿美元的州政府资金向ASML采购TWINSCAN EXE:5200光刻设备。一旦设备安装完毕，相关合作伙伴将可以开始研究下一代芯片制造。该计划将创造700个工作岗位，并带来至少90亿美元的民间投资。
按照计划，NY CREATES将购买并安装由ASML设计和制造的高数值孔径极紫外（NA - EUV）光刻工具。该仪器装载了一项技术，其中超过紫外光谱的激光蚀刻电路中的路径在一个微型规模。十年前，该工艺首先可以蚀刻7纳米和5纳米芯片工艺的通道，并且目前已有潜力开发和生产小于2纳米节点的芯片——早在2021年，IBM就克服了这一障碍。
目前市场上和工业上使用的EUV机器无法产生亚2nm节点所需的分辨率，以有利于大规模生产的方式将其制成芯片。根据IBM的说法，虽然目前的机器可以提供必要的精度水平，但需要三到四次的EUV光照射，而不是一次照射。高NA的增加能够打造更大的光学器件，支持在晶圆上打印更高分辨率的图案。
虽然研究人员需要考虑到光圈增大导致的聚焦深度变浅问题，但IBM及其合作伙伴相信，这项技术可以在不久的将来推动各方采用更高效的芯片。
在人才方面，该计划还包括通过与纽约州立大学的合作，以支持和建设人才发展通道。
