近日，首款国产化110GHz电光强度调制器产品在国家信息光电子创新中心（NOEIC）研制成功，并获多家产业客户验证和订购。该调制器以国产薄膜铌酸锂芯片为核心，可在C和L波段工作，具有超高带宽、超高速率、低啁啾、低驱动电压、高线性度等特性，其3dB带宽高达110GHz，是我国首款带宽突破110GHz的电光调制器产品，关键技术指标达到国际先进水平，将广泛应用于光通信、光互连、光计算、光电测试测量、微波光子等宽带光电子信息系统。
110GHz电光调制器实物图
高速电光调制器的主要功能是将电信号转换为光信号，是光电子系统不可或缺的核心器件。随着光电子信息产业的迅速发展，对电光调制器的带宽、速率上的要求也不断增加。目前，我国仅能研制生产带宽40GHz以内的电光调制器产品，而带宽超过67GHz的电光调制器被美日等少数公司垄断，且价格昂贵，严重威胁产业自主发展。
为尽快补齐我国高端光电子器件供应链这一短板，国家信息光电子创新中心三年磨一剑，攻克并掌握了超高带宽调制器芯片、RF高性能传输基板、高频电学互连焊接工艺、管壳腔体谐振抑制等关键技术，核心芯片和零部件实现全部国产化，今年相继发布40GHz、60GHz和90GHz三款高带宽光强度调制器产品，近日又成功实现了110GHz电光强度调制器的首次国产化，填补了国内空白。该系列产品获得了国内多家产业用户和研究院所的验证和订购，将有效缓解高端光调制器的“卡脖子”问题，支撑我国光电子信息产业的自立自强发展。
具体测试情况和参数详见下图（表）。
110GHz调制器电光S21参数曲线
110GHz调制器电电S11参数曲线
NOEIC电光调制器产品实测光信号眼图
NOEIC肩负着打通信息光电子产业链“技术开发一首次商用一转移扩散”的使命，以突破高端材料、芯片工艺、先进封装等方面关键共性技术瓶颈为目标，致力于推动高端光电子芯片、器件的技术演进和产业转化，着力破解我国信息光电子“缺芯”局面。未来， NOEIC将充分利用现有先进制造平台，聚集创新资源，打造协同创新生态系统，持续破解信息光电子卡脖子难题，持续提升我国核心光电子芯片和器件国产供给率，持续推动我国光电子信息产业自立自强！
