6月24日，全国科技大会、国家科学技术奖励大会、两院院士大会在京召开，2023年度国家科学技术奖揭晓，共评选出250个项目。其中，大族激光联合广东工业大学等完成的“面向高性能芯片的高密度互连封装制造关键技术及装备”荣获国家科技进步奖二等奖。
“面向高性能芯片的高密度互连封装制造关键技术及装备”项目由广东省提名，是大族激光与广东工业大学、广东佛智芯微电子技术研究有限公司、安捷利美维电子（厦门）有限责任公司等单位长期合作取得的研究成果。
后摩尔时代，以芯片高密度互连为特征的先进封装技术延续摩尔定律，并成为行业技术进步与竞争的新赛道。面向高性能芯片的高密度互连封装制造技术成为行业国际技术竞争焦点。
电子制造产业高质量发展事关国家经济安全与国防安全。大族激光与广东工业大学陈新教授团队等长期深入产学研合作，突破半导体激光精细加工技术与装备多项关键技术，形成行业领先优势，成果获得国内国际一流龙头企业的严格认证与批量采购。
该项目有力推动高性能芯片高密度互连封装制造关键技术及装备的自主可控，服务企业千余家，为我国电子制造产业高速发展做出了突出贡献。
此前，“面向高性能芯片的高密度互连封装制造关键技术及装备”项目暨“电子器件高密度封装的微细阵列制造关键技术与装备”项目入选2023年度广东省科学技术奖技术发明奖一等奖公示名单。
国家科学技术进步奖是国务院设立的国家科学技术奖5大奖项之一。此次获奖是对大族激光技术创新、产学研技术成果落地、高新技术产业化，以及校企合作多元化、深入化等的高度认可，大族激光将继续积极打造产业链、创新链、人才链等相互融合的创新生态，激发产业活力和发展动能，全力打造在全省、全国具有影响力的创新高地。
