2、量子点激光器发射双峰
2008年加拿大的研究人员制造出基于InP的量子点（QD）激光器，可同时在两个波峰处（λ=1543nm和1571nm）以自锁模脉冲方式发射的。最终在全光时钟提取和高比特传输等应用中，这两个波长起着重要的作用（Optics Letters 33 1702）。
锁模具备了很短的期限、高功率激光器脉冲，非常适合快速的数据通讯。加拿大国家研究委员会（NRC）的Jiaren Liu表示，传统的锁模法是使用了两节器件，其中一个提供光增益，另一个作为饱和吸收体。此外他们也正研究一个工作在整个电流范围内的单节器件。
QD材料生长技术的提升，导致了器件的阈值电流低、功率输出要高。“我们现在能很好地控制点的生长，生产出具有窄发射范围的高点密度，从而得到高性能的增益介质。”
3、日本研制高温下稳定运行的硅基量子点激光器
日本东京大学研制出了键合在硅基底上的1.3m量子点（QD）激光二极管（发表在《应用物理快报》2013年第六期，作者Katsuaki Tanabe等）。光子电路通常以硅为基底，但目前的光源通常采用化合物半导体研制。特别是，研究人员正在寻求大温度范围下稳定工作的器件，以实现更高的工作温度。东京大学的器件是采用硅掺杂部分P型砷化镓（GaAs）壁垒结合自行聚合砷化铟（InAs）形成量子点，以构建激光二极管的有源发光区域，再将这些器件键合到硅基底上。
有源区域由8层P-GaAs壁垒中自行聚合的InAs 量子点结构组成。每层的点密度为6×1010/cm2。试验中对直接和金属介导两种键合工艺进行了测试，两种工艺研制的器件均可在超过100℃的条件下发射1.3m（光通信的O波段）的激光。这些结果证实了，采用晶圆键合工艺研制的硅上III-V族量子点激光器有望在高密度光子集成电路中实现温度稳定的运行。
三、我国在量子点激光器领域进展情况
980nm量子点激光器可广泛应用于大功率光纤放大泵浦源、激光手术刀、材料加工和防伪检测等领域；1.3 mm、1.55mm和可见光的单模量子点激光器在大容量光纤通信，高速光计算、光互联和信息处理等许多方面都有极其重要的应用前景。量子点激光器已成为目前国际上前沿研究的热点和重点方向之一。
该项目在自组织量子点、量子线材料的可控生长和器件应用方面取得了多项突破性进展：
(一) 研制成功In(Ga)As/GaAs、InAlAs/AlGaAs/GaAs和InAs/InAlAs/InP等一系列高质量的自组织量子点和量子线材料
通过对所选材料体系应变分布的设计（高指数面衬底、特殊设计的缓冲层和种子层诱导作用等）、生长动力学控制（生长温度、生长速率等）和优化生长工艺（多层垂直耦合量子点层数、隔离层的厚度和量子点的组分等），在原子、分子水平上初步实现了对量子点尺寸、形状、密度和分布有序性的控制，量子点材料的性能达到了国际先进水平。
(二) 研制成功当时国际领先水平的大功率量子点激光材料和器件
(1) 优化设计了有自己特色的量子点激光器的能带结构，使所研制的～980nm量子点激光器的阈值电流密度、输出功率和工作寿命等综合性能达到国际领先水平；
(2) 创新性地设计了InAs/InGaAs/GaAs三层垂直耦合量子点复合结构，作为大功率量子点激光器的有源区，有效地提高了量子点的发光效率，并使量子点均匀性达到国际最好水平；
(3) 首次采用退火来精确控制量子点激光器的输出波长，提高了成品率；
(4) 所研制的大功率量子点激光器室温连续工作最大输出功率3.618W（未镀膜器件双面光功率之和），最低阈值电流密度218A/cm2，激射波长940～1080nm；0.61W工作寿命超过3760小时；用上述器件研制出室温连续输出功率达到10W的大功率量子点激光器光纤耦合模块。
