(三) 研制成功当时国际最好水平的InAlAs/AlGaAs红光量子点激光器
(1) 通过优化结构和生长条件，克服了高Al含量带来的困难，研制出高质量的InAlAs红光量子点材料，并研制出以多层耦合InAlAs/AlGaAs量子点结构为有源区的红光量子点激光材料及器件；
(2) 所研制的红光量子点激光器在220K温度下实现了连续激射，波长750nm，阈值电流密度420A/cm2。当时国外已发表的最好结果是：80K连续激射，波长707nm，阈值电流密度729A/cm2。
(四) InAs/InAlAs/InP斜对准量子线超晶格研究获得突破
在国际上首次发现InAs/InAlAs/InP斜对准量子线超晶格及其生成规律，并给予了合理的理论解释，引起国内外同行的关注，被综述文章大段引用。斜对准量子线超晶格对偏振和多模特性的量子线激光器的研制和一维电子输运研究有重要意义。
(五) 提出了耦合量子点中载流子有效弛豫和激子热发射的新模型
从实验上揭示InAs量子点发光的独特温度特性，首次从理论上提出了耦合量子点的概念和描述局域在InAs量子点内的载流子间热弛豫、热激发和输运过程的新物理模型，得到国际同行的广泛关注、大量引用和高度评价，并成功地用于解释其他材料体系的实验结果。单篇论文（PRB，1996）被他人引用达55次以上。
(六) 论文发表、收录及引用
从1994年至2000年，该项目在国际核心期刊和国际会议、国内一级期刊上发表学术论文超过100余篇，其中被SCI收录的94篇，EI收录的45篇。
其中的50篇论文被引用286次以上，其中他引181次（包括专著等引用3次）。
该项目所研制的～980nm量子点激光器的阈值电流密度低、输出功率大、工作寿命长，综合性能尤其是在可靠性、实用性方面处于当时国际领先水平，初步实现了从实验室原型器件到实用器件的转化，可应用于光纤放大器泵浦源、激光手术刀、材料加工等领域；所研制的1.3mm量子点激光器材料室温光致发光谱半高宽最窄可达19.2meV，为当时国际领先水平，可望得到高性能的GaAs基1.3mm量子点激光器，用作光纤通信的高质量光源。
量子点激光器的研制、开发和推广、应用对促进我国光电子、信息高新技术产业的发展，在高起点上参与光电子行业的国际竞争，增强国民经济和国防实力，具有重要意义。在该项目的基础上，研究人员继续获得了国家973、863、自然科学基金重大项目的支持，开展了更深入、广泛的研究工作，取得了更加丰富的成果。
