光刻机关键技术突破,哈工大公布新成果

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半导体领域作为我国科技发展的短板,在这个领域一直受限于人,但中企们也没有选择坐以待毙,大力推动自研芯片和自研半导体设备的发展,进一步实现自主可控。

如今哈工大公布新成果,光刻机关键技术突破,很可能国产7nm手机芯片要来了!那么究竟发生了什么?

众所周知,我国由于半导体领域发展比较晚,所以针对于芯片方面并没有优势,反观老美基于20世纪“科学无国界”的口号,招募到的人才替其建立了美国在半导体领域的地位。

而由于在70年内发展迅速,不仅成为了世界第二经济体,还在军事实力、尖端科技和综合国力均排行第二,仅次于美国,成绩辉煌闪耀。

这令老美不得不感到忌惮,因此其为了巩固自己国际主导地位的身份,防止被我国在科技领域超越,对大陆进行了多次且多方面限制。

比如说华为、中芯国际、长江存储和中兴通讯等中企均受到过限制,不过最重要的还是半导体领域的断供限制。

早在2018年,ASML的13.5nm波长EUV光刻机在市面上首次出现,中芯国际也是直接选择了订购一台。

但很可惜,基于老美在EUV光刻机研发团队“EUV LCC联盟”的主导地位,加上美零件与核心技术在EUV光刻机产品中占比超过30%,所以最终老美并不同意将EUV光刻机向中国市场供应。

以至于如今国内代工厂商没有任何一款7nm以下制程的电子硅基芯片进行量产,整体量产能力也并没有突破至先进工艺制程。

可令人愤然的是老美再次盯上了大陆市场的DUV光刻机供应渠道,联合日本与荷兰组成“美日荷联盟”,通过世界名列前茅的ASML、东京电子、尼康对中国市场进行断供。

在确定协议之后,ASML率先宣布协议达成,并将会在一段时间后落地实施,所以呼吁中企们加速购入DUV光刻机,由此可见ASML对限制出货的态度。

不过即便ASML没有被限制,可以一直实现供应,那终究不是自主可控的,存在着“卡脖子”的风险,所以自主研发才是“正道”。

那么好消息来了,如今哈尔滨工业大学公布新突破,那就是“高速超精密激光干涉仪”,这项技术能够解决DUV光刻机的关键问题,属于是整体的核心部分。由此可见,“高速超精密激光干涉仪”确实是不小的突破,带来了我国半导体制造设备自研的一大推进。

这项技术还得到了全世界认可,荣获世界光子大会“金隧奖”的金奖,并且还排行在金奖第一的位置,从这一点上就可以看出该技术的重要性了。

知情郎认为按照目前国产光刻机部件的生产,针对于DUV光刻机的研发推进相信已经不远了,或许我国半导体领域也将很快踏入先进制程芯片领域。

值得一提的是其实也可以通过别的方式实现7nm制程芯片的量产,此前台积电曾通过DUV光刻机进行“多重曝光”工序进行实现7nm工艺芯片制造。

基于国内近几年的“多重曝光”技术已经颇为完善,目前正准备使用在14nm制程DUV光刻机上,将波长进行压缩,实现对7nm制程芯片的制造甚至量产。

加上中芯国际具备7nm制程量产技术,配合哈工大的半导体领域技术支持,相信年内可能将会迎来国产7nm手机Soc芯片。

虽说目前针对于手机Soc芯片这方面,7nm制程并不算是高水平,较比台积电和三星也有一定程度的差距,但是踏入7nm制程先进工艺无疑是中企在半导体领域的一种里程碑式的进步。

当然,目前电子硅基芯片这条赛道已经快要达到尽头,根据摩尔定律显示,此类芯片的物理极限是1nm制程。

这意味着如今台积电的3nm工艺之后,预计只有2nm和1nm,并且代工价格将进一步提升,面对走进“死胡同”的赛道,跟上其工艺发展无疑只是时间问题。

反观全新的光子芯片、量子芯片、量子计算机等方面均已经有着小规模突破,甚至部分领域已经有着领先水平。

总体来说,中企们在双工件台,物镜、光源,掩膜板、光刻胶等半导体核心系统和材料等方面的突破,证明了我们在芯片制造自主研发的道路上越走越远、越来越自信,在国内企业团结合作,分工明确的环境下,在国家的大力扶持之下,国产芯片的未来是可期的。

【转载请注明德高行·知情郎】

       原文标题 : 光刻机关键技术突破,哈工大公布新成果,国产7nm手机芯片要来了?

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