蓝光单管芯片难以实现高输出功率和长寿命，核心生产技术壁垒高，受材料、技术限制，目前蓝光单管芯片功率较低，商用产品功率水平在5W左右，实验室功率水平在10W左右
蓝光单管芯片是蓝光激光器的核心组成部分，近年来，随着蓝光激光器应用扩展，蓝光单管芯片市场需求逐渐释放。蓝光单管芯片是基于氮化镓GaN、氮化铝镓AlGaN、氮化铟镓InGaN或其它与其相关的材料，经过外延生长、流片工艺、腔面处理、封装等工艺形成的蓝光单管产品。
氮化镓GaN是第三代半导体材料，具有高热导率、抗强辐射能力、高击穿电场等性能，可用于制备大功率、高温、高频电子器件。蓝光单管芯片难以实现高输出功率和长寿命，核心生产技术壁垒高，受材料、技术限制，目前蓝光单管芯片功率较低，商用产品功率水平在5W左右，实验室功率水平在10W左右。全球范围内，拥有蓝光单管芯片生产能力的企业较少，主要集中在德国、日本、美国等地区。
根据新思界产业研究中心发布的《2024-2028年蓝光单管芯片行业市场深度调研及投资前景预测分析报告》显示，全球范围内，蓝光单管芯片相关企业或研发机构有德国艾迈斯欧司朗（ams OSRAM）、日亚化学（Nichia）、松下、索尼等。总体来看，国外企业在全球蓝光单管芯片领域占据优势，我国在这一领域处于落后并依赖国外进口的状态。
蓝光激光器是一种新型激光器，在激光器市场竞争加剧背景下，蓝光激光器成为激光器企业差异化布局重点方向。在国产替代大背景下，国内企业和机构也在加快蓝光激光器相及关器件研发速度，如华中科技大学、苏州纳米所、广东硬科院、深圳联赢激光、北京凯普林、锐科激光等。
蓝光激光器在铜、铝等高反金属材料加工等方面具有明显优势，近年来，随着技术发展，蓝光激光器在新能源电池、消费电子、医疗、显示、航天航空、国防、存储、探测、高端装备制造等领域的应用潜力日益凸显。在此背景下，蓝光单管芯片、蓝光激光二极管等蓝光激光器相关器件也受到市场广泛关注。
新思界行业分析人士表示，蓝光单管芯片是蓝光激光器最核心器件，随着蓝光激光器应用领域扩展，蓝光单管芯片市场需求将进一步释放。目前蓝光单管芯片功率较低，在激光产业向高质量发展背景下，市场对蓝光单管芯片的要求不断提升，将促使其向更高功率、更好光束质量方向不断发展。
原文标题 : 【洞察】蓝光单管芯片核心技术壁垒较高 国外企业占据生产优势