新型EUV光刻技术面世:实现大幅“降本增效”

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近日,来自冲绳科学技术大学院大学(OIST)的Tsumoru Shintake教授提出了一项革命性的极紫外(EUV)光刻技术,该技术不仅超越了现有半导体制造的界限,更预示着行业未来的新篇章。

这一创新显著提高了稳定性和可维护性,因为其简化设计只需两个镜子,光源仅需20W,从而将系统的总功耗减少到不到100kW,仅为传统技术(通常需要超过1MW(=1000kW)运行)功耗的十分之一。新系统保持了非常高的对比度,同时减少了掩模3D效应,实现了从光掩模到硅片准确传输逻辑图案所需的纳米级精度。

这项创新的核心在于采用更为紧凑高效的EUV光源,显著降低了成本,同时极大地提升了设备的可靠性和使用寿命。尤为引人注目的是,其电力消耗仅为传统EUV光刻机的十分之一,为半导体行业的绿色可持续发展铺平了道路。

这种技术突破,关键在于解决了两个长期困扰业界的难题:一是设计了一种极简而高效的光学投影系统,该系统仅由两个精心配置的镜子构成;二是开发了一种新方法,能够无阻碍地将EUV光精准引导至平面镜(光掩模)上的逻辑图案区域,实现了前所未有的光路优化。

EUV光刻面临的挑战

使人工智能(AI)成为可能的处理器、用于手机等移动设备的低功耗芯片以及用于高密度DRAM存储器的芯片——所有这些先进的半导体芯片都采用EUV光刻技术制造。

然而,半导体的生产面临高功耗和设备复杂性的问题,这大大增加了安装、维护和电力消耗的成本。而Tsumoru Shintake教授的技术发明,正是对这一挑战的直接回应,他称之为“几乎彻底解决了这些隐蔽难题”的突破性成果。

传统光学系统依赖透镜与光圈的对称排列以实现最佳性能,但EUV光的特殊性——极短波长与易被材料吸收——使得这一模式不再适用。EUV光需通过新月形镜反射,在开放空间中曲折前行,牺牲了部分光学性能。而OIST的新技术,通过直线排列的轴对称双镜系统,不仅恢复了卓越的光学性能,还大幅简化了系统结构。

功耗显著减少

由于EUV能量在每次镜面反射时会削弱40%,在行业标准中,只有约1%的EUV光源能量通过使用的10个镜子到达晶圆,这意味着需要非常高的EUV光输出。为了满足这一需求,驱动EUV光源的CO2激光器需要大量电力,以及大量冷却水。

相比之下,通过将镜子的数量限制为从EUV光源到晶圆总共仅四个,超过10%的能量可以传递,从而意味着即使是几十瓦的小EUV光源也能有效工作。这可以显著减少电力消耗。

克服两大挑战

与现有行业标准相比,OIST模型以其精简的设计(仅两个镜子)、极低的光源需求(20W)及不到传统技术十分之一的总功耗(低于100kW),展现了显著的优势。这一创新不仅确保了纳米级精度的图案传输,还减少了掩模的3D效应,提升了整体性能。

尤为值得一提的是,通过减少镜面反射次数至四次,新系统实现了超过10%的能量传递效率,即便是小型EUV光源也能高效运作,从而大幅降低了电力消耗。这一成就不仅减轻了CO2激光器的负担,还减少了冷却水的需求,进一步体现了环保理念。

Tsumoru Shintake教授还独创了“双线场”照明光学方法,巧妙解决了光路干扰问题,实现了从光掩模到硅片的精准图案映射。他比喻道,这如同调整手电筒的角度,以最佳方式照亮镜子,既避免了光线碰撞,又最大化了照明效率,展现了其非凡的创造力与智慧。

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